本报讯 12月2日至6日，在美国夏威夷举行的第九届新材料和器件的原子级表征国际研讨会上，我校微尺度物质科学国家实验室博士研究生阮瞩同学的工作“Simulation Study of Atomic Resolution Secondary Electron Image”受到了广泛好评，被授予优秀学生奖。该工作采用最新发展的量子Monte Carlo方法，模拟了在STEM中具有原子级分辨率的二次电子像，实现了对晶体样品中二次电子产生、输运及散射过程的模拟分析，证明了高加速电压下的原子内壳层电离是产生二次电子原子级像衬度的主要来源。阮瞩同学的导师是丁泽军教授。
（微尺度物质科学国家实验室）
